Дайджест микроэлектроники

В IBM выбрали Samsung, а не TSMC

Вряд ли кто-то сегодня станет оспаривать технологическое лидерство корейской Samsung Electronics в области производства чипов процессоров. Еще недавно в IBM планировали отдать производство новых чипов Power крупнейшему фаундри в мире - компании TSMC, Тайвань. Но теперь официально объявлено, что подрядчиком станет Samsung Electronics - для начала здесь наладят выпуск процессоров IPM Power по технологии 7 нм. В прошлые годы производителем чипов для IBM выступала GlobalFoundries, но в 2018 году стало известно, что этот производитель не планирует модернизировать свое производство, которое застряло на планке 12 нм, это заставило IBM искать нового подрядчика. Источник: ko.com.ua

Процессор Мультикор использовали в прототипе планшета

Компания “Открытая Мобильная Платформа” показала прототип российского планшета на базе процессорного модуля Элвис Салют-ЭЛ24ПМ под управлением ОС Sailfish Mobile OS RUS. Процессорный модуль реализован на базе российского однокристального сигнального микроконтроллера Мультикор 1892ВМ14Я (2 DSP ядра Elcore-30M, 2 CPU ARM Cortex-A9, кодек H.264, графический 3D-акселератор Mali-30, навигация GPS/GLONASS/Beidou, встроенные порты ввода-вывода). Микросхема изготовлена по топологии 40 нм и технологии КМОП, разработана специалистами НПЦ Элвис. Это микросхема “второго уровня”. Цену на устройство не называют пока что даже ориентировочно. Источник: it-world.ru

Гексагональная модификация кремния - путь в фотонику?

В Университете Лобачевского (ННГУ), Нижний Новгород, получили гексагональную модификацию кремния, материал со свойствами, которые могут привести к созданию оптоэлектроники и фотоники нового поколения. У нового материала лучшие излучательные свойства по-сравнению с обычным “кубическим” кремнием, который традиционно применяется в микроэлектронике. Научная статья на английском: aip.scitation.org

Для получения нового материала ионы инертных газов внедрялись в диэлектрическую пленку на кремнии, что создавало механические напряжения, релаксация которых при высокотемпературном отжиге вызвало фазовый переход в подложке на границе со слоем диэлектрика. Приповерхностный слой новой фазы может использоваться для создания оптически активных элементов интегральных схем. Подробнее: nanonewsnet.ru

Intel откажется от контрактного производства?

Если это случится, а по слухам дело к тому идет, это станет завершением второй попытки Intel освоить контрактное производство полупроводниковых чипов.
И не удивительно, что у Intel не получается работа на этом сложном рынке. Здесь требуется не только компетенции в технологиях, но также умение предоставлять широкий набор услуг клиентам. В этот набор входят инструменты, библиотеки, опытный персонал, способный работать не вместо, а вместе с заказчиком.
За период с 2012 года, когда Intel начала попытки вернуться на рынок контрактного производства полупроводников, компания не сумела собрать достаточно большой пул клиентов. Да и темпами технологического развития Intel сейчас похвастаться не может, компания до сих пор не обновила производство до поддержки 10 нм, тогда как TSMC уже выпускает для Apple чипы по процессу 7 нм. Источник: 3dnews.ru.

В США придумали, как сжимать объекты до наноуровня

Суть технологии основана на применении так называемого абсорбирующего геля. В качестве такого геля можно использовать, например, полиакрилат. Гель выполняет роль трехмерной основы для будущей конструкции. В гель вводят молекулы флуоресцеина. Лучем лазера эти молекулы “прибивают” там, где им надлежит находиться, - они будут играть роль якорей для будущей конструкции. К якорям можно крепить другие молекулы - металлов или ДНК. Закончив конструирование объекта, остается его сжать, обработав гель кислотой. Это позволяет сократить размеры объекта в 10 раз по каждому измерению, в объеме это дает сокращение в 1000 раз. Технологию разработали в MIT, США - возможно, это открывает путь к созданию сложных нанообъектов. Источник: kommersant.ru.

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro